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7ヘテロエピタキシャル成長におけるストレスその場測定朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Arnoldo, A.*; 後藤 成一*; 末光 眞希*
表面科学, 28(9), p.500 - 503, 2007/09
Si/Geのヘテロエピタキシャル成長において格子定数のミスマッチに起因したストレスが界面に発生し、半導体特性や、ナノドット生成に大きな影響を及ぼすため、応用の観点からも詳細なストレス遷移の理解が重要となる。われわれはSi表面上のGeヘテロ成長過程における原子層オーダーのストレス遷移と、反射高速電子回折(RHEED)法を用いた表面構造・成長形態遷移に関する同時観測を行った。その結果、1原子層未満の初期成長とともに明瞭な圧縮応力が観測され、さらには3次元ナノドットへの成長モードへのストレス・表面形態の遷移過程を詳細に捉えることに成功した。
1, Si(111)77表面上のGeドット初期成長過程におけるストレスその場観察朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Arnoldo, A.*; 末光 眞希*
no journal, ,
Si, Geのヘテロ成長はその格子定数のミスマッチからストレスが発生し、ストレスは電子,ホールの移動度や、ナノドットを生成する成長モードに影響を及ぼす。また成長形態は表面エネルギーと、歪みエネルギーとの相関で決定されるので、表面を水素で終端することにより成長様式を制御できる可能性がある。われわれは原子層オーダーの成長過程でのストレスその場測定に成功し、成長モードの変化に伴う明確なストレスの緩和過程を見いだした。また、水素終端下での成長過程のその場観察を行い、成長形態,ストレスへの検討を行う。
朝岡 秀人; 山田 洋一; 山崎 竜也; Girard, A.*; 山本 博之; 社本 真一; Arnoldo, A.*; 後藤 成一*; 末光 眞希*
no journal, ,
半導体表面のナノ構造作製に関して、Si(111)77表面上へのGeドット作製初期過程のストレスその場観察と、Si(110)162再構成面の1次元構造の作製に関しての最近の実験結果を示した。
