Time resolved O1s and Si2p XPS for oxidation of Si(111)-77 at 300K

300KにおけるSi(111)-77表面の酸化に関するO1s及びSi2p時分割XPS

吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

ガス暴露条件(En=0.03eV)におけるO1sとSi2p時分割XPS測定を行い、酸化に伴う種々の吸着状態の時間変化とその相関を調べた。実験は、SPring-8のBL23SUのSUREAC2000で行った。5.310PaのO(99.9999%)をリークバルブで導入し、放射光(670eV,E200meV)を用いてO1sとSi2p XPSを交互に時分割XPS測定した。Si2pとO1sの酸化に伴うケミカルシフト成分の変化から、酸化開始直後から複数の成分が表れ、初期増加率はSi及びinsが大きい。paulが減少に変わる暴露量付近でSiが増大する。Siが減少に変わる時、paulは飽和値のおおむね半分であり、これ以降Siの増加が顕著となるとともにSiの増加率に差が表れる。paulが消失すると、Siの減少とSiの増加さらにinsx2-adの増加が緩慢になる。insx2-adが再び大きく増加する時、Siが減少するなど、酸化に伴う吸着状態間の時間変化に密接な相関があることを観察できた。

The time evolution of adsorption states was investigated by O1s and Si2p time-resolved XPS for oxidation of Si(111)-77 at 300K under the O ambient (5.310 Pa). Experiments were performed at SUREAC2000 of BL23SU in SPring-8. The O1s and Si2 XPS were measured alternatively by using synchrotron radiation (670eV, E200meV). We succeeded in observation of the close correlation of each oxidation states during the oxidation. The initial rates of Si and ins is much larger than other components. Si and Si begin increasing around the dosage of the decrement of paul. The amount of paul is almost half of a maximum value at the decrease of Si and after then the Si clearly increases and the growth rates of Si increases. The rates of decrement of Si, increment of both Si and insx2-ad become loose after the disappearance of paul. The Si decreases at increasing insx2-ad again.