初期吸着確率の入射運動エネルギー及びその表面温度依存性にみるSi(111)-77表面への酸素分子の吸着ダイナミクス

Incident kinetic energy of O and surface temperature dependence of initial sticking probability for Si(111)-77 investigated by real-time XPS combined with supersonic molecular beam

吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

これまでSi(111)-77表面へのO吸着に関して、室温での初期吸着確率と飽和吸着酸素量の入射運動エネルギー依存性から吸着ダイナミクスを議論してきた。今回、初期吸着確率の表面温度依存性を調べたので報告する。前駆的吸着状態を経由した吸着過程と考えられる0.06eVでは、初期吸着確率が表面温度の上昇とともに小さくなるなど、入射運動エネルギー依存性と矛盾しない吸着メカニズムに関する結果を得た。

So far, we have discussed the adsorption dynamics of O on Si(111)-77 at 300K based on the incident energy dependence of initial sticking probability and saturation coverage. In this conference, the surface temperature dependence of initial sticking probability is reported. At incident energy of 0.06eV at which the precursor-mediated adsorption is dominated, the sticking probability decreases with increasing the surface temperature. This result for adsorption mechanisms is well consistent with that obtained from the incident energy dependence.