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ドライ酸化により作製した6H-SiC MOSFETの$$gamma$$線照射効果

$$gamma$$-ray irradiation effects on 6H-SiC MOSFET fabricated using dry oxidation

岩本 直也; 大島 武; 小野田 忍; 児島 一聡*; 河野 勝泰*

Iwamoto, Naoya; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Kojima, Kazutoshi*; Kawano, Katsuyasu*

耐放射線性炭化ケイ素(SiC)トランジスタ開発の一環として、ドライ酸化を基本とする4種類のゲート酸化法を用いてnチャネル金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製し、その$$gamma$$線耐性を評価した。ゲート酸化膜は、1180$$^{circ}$$Cでのドライ酸化を行った後、(1)酸化炉より取り出すことで急冷したもの(Dry),(2)Ar雰囲気で降温したもの(Dry+ArFlow),(3)Ar雰囲気で降温し1100$$^{circ}$$Cでパイロジェニック酸化を行ったもの(Dry+ArFlow+Pyro1100$$^{circ}$$C),(4)Ar雰囲気で降温し800$$^{circ}$$Cでパイロジェニック酸化を行ったもの(Dry+ArFlow+Pyro800$$^{circ}$$C)、の4種類を作製した。作製したMOSFETに、1MR/hの線量率で$$gamma$$線を照射し、MOSFETの電気特性の変化を測定し調べた。その結果、Dry及びDry+ArFlowのサンプルは、$$gamma$$線照射量の増加に伴いしきい値電圧(V$$_{th}$$)が低下し、2MGyを超えると0V以下となることがわかった。一方、Dry+ArFlow+Pyro1100$$^{circ}$$C及びDry+ArFlow+Pyro800$$^{circ}$$Cのサンプルは、2MGyを超えてもV$$_{th}$$の低下は観測されずノーマリオフの特性が維持されることが明らかとなった。このことから、MOSFETの耐放射線性向上において、パイロジェニック法による再酸化が有効であることが判明した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2008/03

開催都市

 :

船橋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

コバルト60照射施設

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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産業技術総合研究所

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