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重イオンが$$gamma$$線照射前後のMOSキャパシタに誘起する過渡電流

Heavy ion induced transient currents on MOS capacitors before and after $$gamma$$ irradiation

小野田 忍; 府金 賢; 平尾 敏雄; 大島 武; 高橋 芳浩*; 今川 良*; 大西 一功*

Onoda, Shinobu; Fugane, Masaru; Hirao, Toshio; Oshima, Takeshi; Takahashi, Yoshihiro*; Imagawa, Ryo*; Onishi, Kazunori*

本研究では、$$gamma$$線によるトータルドーズ効果によって電気特性が劣化したMOS(Metal Oxide Semiconductor)キャパシタに対して、1個の重イオンを照射し、その際に発生するシングルイベント過渡電流を調べた。試料は、p型バルクシリコン上に作製したAlゲートMOSキャパシタ(酸化膜厚:100nm,電極直径:100$$mu$$m)である。試料に対して、吸収線量が6.6kGy(SiO$$_2$$)になるまで$$gamma$$線を照射した。$$gamma$$線照射前後のV$$_{FB}$$(フラットバンド電圧)の変動に着目すると、そのシフト量はおよそ-16.3Vであることがわかった。$$gamma$$線照射前の試料において発生する過渡電流は、印加電圧が高くなるに従い大きくなることがわかった。一方、電圧を印加しない$$gamma$$線照射後の試料で発生する過渡電流は、電圧を印加しない$$gamma$$線照射前の試料で発生する過渡電流と比較して4倍も大きくなる一方、15Vを印加した$$gamma$$線照射前の試料で発生する過渡電流と同等の大きさになることが明らかになった。このことから、酸化膜中の固定正電荷が空乏層の電界強度を強め、その結果、重イオンが誘起する過渡電流が大きくなったと考えられる。

no abstracts in English

発表言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2008/03

開催都市

 :

船橋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

日本大学

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