Measurements of photon mass attenuation coefficients for Ge and BGO crystals at 10 MeV

10MeV線に対するGe及びBGO結晶の質量吸収係数測定

原田 秀郎   ; 北谷 文人  ; 後神 進史; 原 かおる*; 豊川 弘之*; 海堀 岳史*; 宇都宮 弘章*

Harada, Hideo; Kitatani, Fumito; Goko, Shinji; Hara, Kaoru*; Toyokawa, Hiroyuki*; Kaihori, Takeshi*; Utsunomiya, Hiroaki*

レーザー逆コンプトン光と高分解能・高エネルギー光子スペクトロメータを用い、1.6から40MeVの線に適用可能な全線吸収断面積測定システムを開発した。本システムを適用し、線検出器の材料として重要なGe及びBGO結晶について、10MeVでの全線吸収断面積を測定した。測定結果と評価値は、0.6%の測定誤差の範囲で一致した。本手法が、高エネルギーの線に対する全線吸収断面積の精密測定に有効であることを示すとともに今後の測定精度向上方法について議論した。また、従来U-238の測定で指摘された10MeV線に対する全線吸収断面積の評価値と実験値との4%以上の大きな差異は、Ge及びBGOに関しては存在しないことを示した。

A system measuring the photo-absorption cross sections using the HHS and LCS -rays has been developed. The data for Ge and BGO crystals were measured for 10.0 MeV -rays, and the effectiveness of the system for the measurements of the photo-absorption cross sections was demonstrated. The system will be very powerful tool to measure the photon-absorption cross sections especially for high energy photons, whose energy is variable between 1.6 and 40 MeV. The result also shows that there are not so significant discrepancies between the evaluated photo-absorption cross sections and the measurements at 10 MeV as was pointed in case of U-238 at least for Ge and BGO crystals.