III-V族化合物薄膜2接合太陽電池の耐放射線性の検討

Investigation of radiation hardness of III-V compound thin film double junction solar cell

今泉 充*; 佐藤 真一郎; 大島 武; 川北 史朗*; 岐部 公一*

Imaizumi, Mitsuru*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Kawakita, Shiro*; Kibe, Koichi*

高効率と軽量を同時に実現させるべく、InGaP/GaAs 2接合薄膜太陽電池の開発を行っている。その試作品の耐放射線性を、現在実用化されているInGaP/GaAs/Ge 3接合太陽電池と比較した。その結果、GaAsサブセルの放射線劣化が3接合太陽電池の場合に比べて大きいことが見いだされた。この理由として、2接合薄膜太陽電池の場合は積層構造を逆向きに成長しているため、GaAsサブセルの光吸収層のキャリア濃度プロファイルが設計通りとなっておらず、陽子線照射による少数キャリア拡散長の低下の影響がより大きく現れたことが考えられる。

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