酸化タングステン膜中の水素と光吸収特性変化

Effects of hydrogen on gasochromism properties in tungsten oxide films

Inoue, Aichi; Yamamoto, Shunya; Nagata, Shinji*; Tsuchiya, Bun*; Shikama, Tatsuo*

水素曝露により三酸化タングステン(WO $_{3}$ )膜が着色するには、WO $_{3}$ 膜内への水素の侵入が不可欠であることがわかっているが、今回はWO $_{3}$ 膜作製時に取込まれる水素(残留水素)と着色能との関連性について調べた。高速イオンビーム分析により、反応性スパッタ法により作製した薄膜試料内の酸素及び残留水素の濃度を定量した後、その表面にPd(15nm)を堆積させ、水素曝露後の着色率を調べた。その結果、組成がWO $_{3}$ のときにのみH/W0.7程度の残留水素が膜中に含まれていることがわかった。作製時の基板温度によって、非晶質、あるいは配向性を持つ単斜晶膜が成長するが、取込まれる残留水素濃度には、結晶構造による違いが認められなかった。水素を含むH $_{X}$ WO $_{3}$ 膜は水素により着色が起こるが、500Kの加熱により残留水素を放出させたWO $_{3}$ 膜は水素による着色を示さなかった。このことから、残留水素には水素ガスクロミズムに伴う水素の侵入を助ける役割があることが示唆された。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
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発行年月	:
発表会議名	:	日本金属学会2008年秋期(第143回)大会
開催年月	:	2008/09
開催都市	:	熊本
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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