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MOSデバイスにおける重イオン照射誘起過渡電流とトータルドーズとの関係

Relation between transient current induced in MOS devices by heavy ions and total dose effects

今川 良*; 府金 賢*; 高橋 芳浩*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 大島 武

Imagawa, Ryo*; Fugane, Masaru*; Takahashi, Yoshihiro*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

半導体デバイスに荷電粒子が入射したときに、誘起されるキャリアによって誤動作や破壊等のシングルイベント現象が発生する。本研究では、酸化膜を有する半導体デバイスに$$gamma$$線照射を行うことで発生する固定正電荷がシングルイベント過渡電流に及ぼす影響について調べた。$$gamma$$照射は吸収線量率6.3kGy(S$$_{i}$$O$$_{2}$$)/hで1時間行い、$$gamma$$線照射前後、酸素イオン(15MeV)を用いたイオンビーム誘起過渡電流TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)を測定した。その結果、得られた過渡電流シグナルのピーク値が$$gamma$$線照射により変化すること,同一ピーク電流を得るためのゲートへの印加電圧の差異が、容量-電圧特性より見積ったミッドギャップ電圧のシフト量とほぼ等しいことが判明した。これより、過渡電流の変化は$$gamma$$線照射により生じた酸化膜中の固定正電荷密度の変化に起因すると結論できた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第21回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会

開催年月

 :

2008/07

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

日本大学

Access

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