MOSデバイスにおける重イオン照射誘起電流

Heavy-ion induced current in MOS devices

Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Takahashi, Yoshihiro*

酸化膜を介してのイオンビーム誘起電流の詳細な理解を行うことを目的に、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のTIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)測定で観測されたイオン照射後12ns程度の酸化膜印加電界方向の鋭い電流ピークと、その後100ns程度まで観測される反対方向のブロードなピーク電流を変位電流の効果を考慮してシミュレーション(Synopsys製TCAD)することを試みた。酸素イオン(15MeV)を用いたTIBIC測定より取得した過渡電流(SET)シグナルを、キャリア濃度及び移動度をパラメータとしてシリンドリカルモデルを用いてシミュレーションしたところ、実験結果と計算結果との良い一致を図ることができ、変位電流の解釈にはキャリア濃度及び移動度が重要なパラメータであることが結論できた。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	第21回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会
開催年月	:	2008/07
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	日本大学

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登録番号 : BB20081672
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