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EPR identification of intrinsic defects in SiC

SiC中の真性欠陥のEPRによる同定

磯谷 順一*; 梅田 享英*; 水落 憲和*; Son, N. T.*; Janz$'e$n, E.*; 大島 武

Isoya, Junichi*; Umeda, Takahide*; Mizuochi, Norikazu*; Son, N. T.*; Janz$'e$n, E.*; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(SiC)中の真性欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)を用いて同定した。試料は立方晶(3C)及び六方晶(4H, 6H)を用い、電子線照射温度,量及び熱処理温度を工夫することでSiC中に特定の欠陥を生成した。$$^{29}$$Si, $$^{13}$$Cの超微細相互作用の角度依存性と第一原理計算結果を比較することで欠陥同定を行った。その結果、正に帯電した$$h$$及び$$k$$サイトの炭素空孔型欠陥(V$$_{C}$$$$^{+}$$($$h$$), V$$_{C}$$$$^{+}$$($$k$$)),負に帯電した$$h$$サイトの炭素空孔型欠陥(V$$_{C}$$$$^{-}$$($$h$$)),中性,正及び負に帯電したシリコン空孔と炭素空孔の複合欠陥([V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{0}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{+}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{-}$$)の同定に成功した。

Intrinsic defects in silicon carbide (SiC) were indentified using Electron Paramagnetic Resonance (EPR). The samples used in this study were cubic (3C) and hexagonal (4H, 6H) SiC. The angular dependence of hyperfine structure of $$^{29}$$Si, $$^{13}$$C was compared to the results from the first principle calculations As the results, positively charged carbon vacancies in $$h$$ and $$k$$ sites (V$$_{C}$$$$^{+}$$($$h$$), V$$_{C}$$$$^{+}$$($$k$$)), negatively charged carbon vacancy (V$$_{C}$$$$^{-}$$($$h$$)), and neutoral, positively and negatively charged di-vacancies of silicon vacancy and carbon vacancy ([V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{0}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{+}$$, [V$$_{Si}$$V$$_{C}$$]$$^{-}$$) were identified.

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パーセンタイル:88.47

分野:Physics, Condensed Matter

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