200keV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化

Changes of acceptor density in Al-doped 6H-SiC epilayer by 200 keV electron irradiation

Yanagisawa, Hideki*; Izawa, Keisuke*; Matsuura, Hideharu*; Oshima, Takeshi

200keV程度の低エネルギー電子線照射による炭化ケイ素(SiC)半導体の物性変化をキャリア濃度の観点から調べた。試料はp型のエピタキシャル膜付6H又は4H-SiCを用い、200keV電子線を510 $^{16}$ /cm $^{2}$ まで室温にて照射した。キャリア濃度はHall係数測定により決定した。その結果、4H-SiC, 6H-SiCともに電子線照射量の増加とともにキャリア濃度は減少するが、6H-SiCの方が4H-SiCに比べてキャリア濃度の減少が大きいことが明らかとなった。200keVの電子線照射によって、炭素(C)原子のみがはじき出されることを考えると、今回得られた結果は、Al原子に隣接するC原子が変位する割合は6H-SiCの方が4H-SiCに比べ高いことが推測される。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2008/09
開催都市	:	春日井
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	電子加速器
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受委託・共同研究相手機関	:	大阪電気通信大学

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