Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV electron irradiation
1MeV電子線照射によるAl添加p型6H-SiC中のホール濃度の減少機構
松浦 秀治*; 井澤 圭亮*; 蓑原 伸正*; 大島 武
Matsuura, Hideharu*; Izawa, Keisuke*; Minohara, Nobumasa*; Oshima, Takeshi
1MeV電子線照射による
型六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)のホール濃度(
)減少に関して調べた。
アクセプタ濃度(
),アクセプタのイオン化エネルギー(
)を評価し、アクセプタの起源について考察した。その結果、本研究で得られたアクセプタ(
=220eV程度)はAl不純物によるものであると同定された。さらに、
は電子線の照射量に依存し、照射量とともに減少するが、
は照射量に依存せず、ほぼ一定であることが判明した。
と照射量の関係を解析することで、キャリア減少率を見積もったところ、6.4
10
cm
と見積もられた。1MeV電子線照射による
の減少は、おもに
の減少に起因し、深い準位を有する欠陥(キャリア補償中心)の発生にはよらないことも併せて判明した。
The reduction in hole concentration (
) in Al-implanted
-type 6H-SiC due to 1 MeV electron irradiation was studied. By analysis of
, the acceptor density (
), its ionizing energy (
) and nature of the acceptor are determined. As a result, the acceptor observed in this study is assigned to an Al acceptor.
is independent of irradiation fluence (
), in spite that
is strongly dependent on
. We derived an analytical expression for the fluence dependence of
and we estimated the removal coefficient (i.e., removal cross-section) of
to be 6.4
10
cm
for 1 MeV electron irradiation. The reduction in p due to electron irradiation is found to be mainly due to the decrease in
, not to the increase in the density of defects with deep-level, because the decrease in
is much larger than the increment in the density of deep-level defects.