Transient response of charge collection by single ion strike in 4H-SiC MESFETs

単一イオンにより4H-SiC MESFET中に誘起される電荷の過渡応答

小野田忍; 岩本直也; 小野修一*; 片上崇治*; 新井学*; 河野勝泰*; 大島武

Onoda, Shinobu; Iwamoto, Naoya; Ono, Shuichi*; Katakami, Shuji*; Arai, Manabu*; Kawano, Katsuyasu*; Oshima, Takeshi

4H-SiC Metal Semiconductor Field Effect Transistor(MESFET)に15MeVの酸素イオン1個が入射した際に発生する過渡電流の計測を行った。MESFETのゲート電極にイオンが1個入射したときに、ゲート電極からだけでなく、ドレイン電極及びソース電極からも過渡電流が観測された。ドレイン電極からの過渡電流は、ソース電極からの過渡電流と極性が逆で、大きさが同じであったが、これは電荷中性条件により解釈できる。ところが、過渡電流を積分して求めた収集電荷量は、イオンの直接電離により誘起された電荷量よりも数桁も大きいことがわかった。素子構造を考慮すると、寄生トランジスタのバイポーラ増幅効果により、電荷量が増大した可能性が示唆された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	:	56
号	:	6
ページ数	:	p.3218 - 3222
発行年月	:	2009/12
発表会議名	:	2009 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2009)
開催年月	:	2009/07
開催都市	:	Qubec
開催国	:	Canada
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1109/TNS.2009.2032395
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：74.76 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : BB20090491
抄録集掲載番号 : 38000179
論文投稿番号 : 6766

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