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単結晶表面の観察-山田 洋一*; 若谷 一平*; 大内 真二*; 鵜殿 治彦*; 都留 智仁 
; 江坂 文孝 ; 山本 博之
Yamada, Yoichi*; Wakaya, Ippei*; Ouchi, Shinji*; Udono, Haruhiko*; Tsuru, Tomohito; Esaka, Fumitaka; Yamamoto, Hiroyuki
-は、鉄とシリコンからなるシリサイド半導体である。将来の熱電半導体や高効率な発光素子の可能性から、シリサイド系材料の高機能化に向け原子レベルでの構造制御の重要性が高まっている。このような背景のもと、ナノ構造シリサイドの形成及び物性評価に関する研究が広く行われるようになった。本報告は、走査トンネル顕微鏡による-表面観察と、第一原理計算に基づくバルク及び表面の電子状態解析に関する一連の研究結果である。加熱後の清浄表面は原子レベル観察可能であり、(100), (110)などの表面観察から再構成のない構造が観察された。また、第一原理計算から、バルクのバンドギャップが0.8eVと過去の研究例と一致した結果を示すとともに、表面では鉄のd軌道成分によるスピン偏極の可能性が示唆された。
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使用言語 |
: | Japanese |
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開催年月 |
: | 2009/04 |
開催都市 |
: | つくば |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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