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SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流

Heavy-ion induced currents in SOI-pn diodes

高橋 芳浩*; 今川 良*; 大脇 章弘*; 竹安 秀徳*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武

Takahashi, Yoshihiro*; Imagawa, Ryo*; Owaki, Akihiro*; Takeyasu, Hidenori*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

半導体デバイスの耐放射線性向上に関する研究の一環として、SOI(Silicon on Insulator)ダイオードに対して逆バイアスを印加した状態で、15MeVの酸素イオン照射を行った。アノード電極から過渡電流が検出された。過渡電流を積算して求めた収集電荷量は170fC程度で飽和した。また、印加電圧の増加に対して、ピーク電流値は増加するものの、収集電荷量は変化しないことがわかった。SOIダイオードとSiダイオードを比較した結果、同一印加電圧下において、ピーク電流が約1/20、収集電荷量が1/3に抑制されていることがわかり、SOIデバイスの高いシングルイベント耐性を示すことができた。デバイスシミュレータを用いた解析から、全電流は、活性層である空乏層内で発生した電流に加え、埋め込み酸化膜下の基板からの変位電流によるものであることがわかった。

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