In situ XPS depth-profiling of hydrogen storage material VCrTi during thermal annealing

水素貯蔵材料VCrTiのその場光電子分光角度依存深さ方向評価

Harries, J.; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 戸出 真由美

Harries, J.; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Tode, Mayumi

VCrTiは水素貯蔵材料としての利用が検討されている。そのため合金の表面構造についての情報が必要である。本研究では角度依存光電子分光法を用いて表面の元素別、及びその元素の化学結合状態別の深さ方向の分布について調べた。さらに、試料の温度を100Cずつ800Cまであげたときの膜の構造変化も調べた。

VCrTi is a candidate material for hydrogen storage, and as such information about its surface layer composition is essential. We have used angle-resolved photoelectron spectroscopy to obtain information on the depth distribution of the elements within the alloy, and their chemical states. Also, the changes in this composition are investigated as the temperature of the sample is raised in 100 degree increments up to 800 degrees Centigrade.