放射光光電子分光によるSiOの有効減衰長(EAL)の実験的決定

Experimental determination of effective attenuation length for SiO with synchrotron radiation

寺岡 有殿; 井上 敬介

Teraoka, Yuden; Inoue, Keisuke

表面極薄膜の膜厚をXPSで求めるうえで、測定する放射光エネルギーでの有効減衰長(EAL)の値が必要となる。しかし、それは実験的に求められていないことが多く、非弾性平均自由行程IMFPの値が代用される。実験はSPring-8の原子力研究専用軟X線ビームライン(BL23U)に設置した表面反応分析装置(SUREAC2000)を用いて行った。すべての実測EALはIMFPの計算値より長くなった。サブオキサイドを考慮しない場合がIMFPと最も一致した。

The effective attenuation length (EAL) for the photoelectron energy used is a necessary parameter for measurements of the thicknesses of overlayer films by XPS. However it has not been measured, so IMFP is substituted. All experiments were performed with the surface reaction analysis apparatus (SUREAC2000) constructed at the BL23U in the SPring-8. All measured EALs are longer than IMFP. EALs, which are calculated without suboxides, are near theoretically-calculated IMFP.