電子線照射を施したp型4H-SiCエピ膜における熱処理後の過剰キャリアライフタイム

Excess carrier lifetime in electron irradiated p-type 4H-SiC epilayers after annealing

加藤 正史*; 松下 由憲*; 市村 正也*; 畑山 智亮*; 大島 武

Kato, Masashi*; Matsushita, Yoshinori*; Ichimura, Masaya*; Hatayama, Tomoaki*; Oshima, Takeshi

耐放射線性半導体への応用が期待される炭化ケイ素(SiC)半導体中に、電子線照射により発生する欠陥が伝導キャリアの寿命へ及ぼす影響を調べた。試料にはp型の六方晶(4H)SiCエピタキシャルを用い、160keV電子線を1.010/cm又は1.010/cm照射した。また、照射後、1000C窒素中で10分間熱処理を行った試料も併せて調べた。照射前後のキャリア減衰曲線を反射マイクロ波光導電減衰で調べたところ、照射量の増加とともに減衰が早くなることがわかり、これより、キャリアの寿命が短くなることが明らかとなった。また、熱処理を行うことで減衰曲線の減衰が遅くなり、キャリアの寿命が長くなったことが判明したが、未照射試料の値までは戻らず、今回の熱処理では結晶性が完全には回復しないと帰結された。

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