放射光光電子分光法によるSiO薄膜の有効減衰長の実験的決定

Experimental determination of effective attenuation length for SiO thin film with synchrotron radiation phottoemission spectroscopy

井上 敬介; 寺岡 有殿

Inoue, Keisuke; Teraoka, Yuden

SiO薄膜の膜厚をXPSで求めるうえで、有効減衰長(EAL)の値は重要なパラメーターである。しかし、それは実験的に求められていないことが多く、非弾性平均自由行程IMFPの値が代用される。EAL値を放射光光電子分光を使い放射光エネルギー480eVから800eVの範囲で決定した。すべての実測EALはIMFPの計算値と異なった。EALの評価にサブオキサイドを考慮しない場合がIMFPに最も近い値を示した。

The effective attenuation length (EAL) is a necessary parameter to estimate the thickness of SiO overlayer by X-ray photoemission spectroscopy (XPS). Inelastic mean free path (IMFP) is often used instead of EAL because EAL is scarcely known. EAL values were determined experimentally in the photon energy region from 480 eV to 800 eV using synchrotron radiation photoemission spectroscopy. Although EALs estimated are different from calculated IMFPs, EALs, estimated without suboxides, are mostly close to theoretically-calculated IMFPs.