小野田 忍; 牧野 高紘; 岩本 直也*; Vizkelethy, G.*; 児島 一聡*; 野崎 眞次*; 大島 武
Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Iwamoto, Naoya*; Vizkelethy, G.*; Kojima, Kazutoshi*; Nozaki, Shinji*; Oshima, Takeshi
耐放射線性炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス開発の一環として、単一の重イオンが六方晶(6H)SiC電界効果トランジスタ(MOSFET)に入射した際、ドレイン,ソース,ゲート電極に誘起される過渡電流の計測を行った。重イオンがドレインに入射した際に発生したドレイン電流は、イオンの入射エネルギーから算出した電荷量よりも大きな電荷量であることがわかった。解析の結果、ソース(n
)-エピタキシャル層(p)-ドレイン(n)から成る寄生npnバイポーラトランジスタによる電流増幅効果であることを明らかにした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 57 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.3373 - 3379 |
発行年月 |
: | 2010/12 |
発表会議名 |
: | 2010 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2010) |
開催年月 |
: | 2010/07 |
開催都市 |
: | Denver |
開催国 |
: | U.S.A. |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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