高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価

Development of spin-polarized positron source and evaluation of its spin polarization

前川 雅樹; 河裾 厚男; 深谷 有喜   ; 薮内 敦

Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Fukaya, Yuki; Yabuuchi, Atsushi

スピン偏極陽電子を用いた陽電子消滅法で高精度な余剰スピン検出を可能とするため、高い偏極率と強度を持つ陽電子放出核種としてGeの生成を行っている。理論上の最大のスピン偏極率は94%であり、生成には高エネルギープロトンビームによるGa(p,2n)Ge反応を用いる。ターゲットには同位体分離した金属状Gaを用いた場合、生成線源量は数値計算により予測された量の11%程度となった。石英の陽電子消滅パラメータの磁場依存性よりスピン偏極率を測定したところおよそ80%となり、高いスピン偏極度が確認された。生成線源量が予想より少なかった原因としてターゲットの融解が考えられたため、高融点のGaNをターゲットとして用いたところ、生成効率は30%程度まで向上した。しかし理論予測値に達するものではなかったため、現在、照射条件やターゲット構造の改善などを検討している。

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