J-PARC 3-GeV RCSにおける入射バンプシステムの現状

Current status of the injection bump system in J-PARC 3-GeV RCS

植野 智晶; 高柳 智弘   ; 富樫 智人; 金正 倫計  

Ueno, Tomoaki; Takayanagi, Tomohiro; Togashi, Tomohito; Kinsho, Michikazu

大強度陽子加速器施設(J-PARC)の3-GeV RCSの入射バンプシステムは、入射部に設置してある4台の水平シフトバンプ電磁石と4台の水平ペイントバンプ電磁石、及び、2台の垂直ペイント電磁石で構成されている。そのうち、水平シフトバンプ電磁石は、入射用バンプ軌道を生成し、リニアックからの入射ビーム(H)とRCSの周回ビーム(H)を合流させる機器である。水平シフトバンプ電磁石用の電源は、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)アセンブリの多段多重の並列回路で構成されており、最大20kAの大電流を500s以下の高速立上げと立下げを行い、600sのフラットトップを偏差1%以下の高精度で制御して励磁することができる。また、長期間の連続的な安定運転を可能としている。本論文では、入射バンプシステムの現在の運転状況について報告する。

The injection bump system of the 3-GeV RCS (Rapid Cycling Synchrotron) in J-PARC (Japan Proton Accelerator Research Complex) consists of the pulse bending magnets for the injection bump orbit, which are four horizontal bending magnets (shift bump), four horizontal painting magnets (h-paint bump) and two vertical painting magnets (v-paint bump). The power supplies of the magnets are composed of multiple-connections of the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) assemblies. They excite the current waveform of the trapezoid pattern with the flat top for 500 s and the flexible decay pattern. The exciting current and magnetic field were measured. The power supplies executed the good accuracy less than 1percent deviation to programmed pattern. Furthermore, the continuous long-term with stable has been performed. In this paper, the current status of the operation of the injection bump system is described.