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Characterization of microdose damage caused by single heavy ion observed in trench type power MOSFETs

トレンチ型パワーMOSFET中に発生する単発重イオンによるマイクロドーズ効果の特性評価

久保山 智司*; 丸 明史*; 池田 直美*; 平尾 敏雄; 田村 高志*

Kuboyama, Satoshi*; Maru, Akifumi*; Ikeda, Naomi*; Hirao, Toshio; Tamura, Takashi*

パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)は人工衛星等の電源機器を構成するうえで不可欠な電子デバイスである。最近のLSIの高集積化によって3.3V以下の低電圧電源が必要となっており、現在、この電圧範囲でより高効率な動作が可能なトレンチ型パワーMOSFETの宇宙適用が検討されている。トレンチ型パワーMOSFETでは、単発の重イオン入射によって特性が大きく劣化する現象が発見されているが、カクテルイオンを用いた照射試験を行い、パワーMOSFETの閾値電圧の変化を解析した結果、この現象が微細領域におけるトータルドーズ効果の結果として発生することが明らかとなった。

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分野:Engineering, Electrical & Electronic

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