Characterization of microdose damage caused by single heavy ion observed in trench type power MOSFETs

トレンチ型パワーMOSFET中に発生する単発重イオンによるマイクロドーズ効果の特性評価

Kuboyama, Satoshi*; Maru, Akifumi*; Ikeda, Naomi*; Hirao, Toshio; Tamura, Takashi*

パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)は人工衛星等の電源機器を構成するうえで不可欠な電子デバイスである。最近のLSIの高集積化によって3.3V以下の低電圧電源が必要となっており、現在、この電圧範囲でより高効率な動作が可能なトレンチ型パワーMOSFETの宇宙適用が検討されている。トレンチ型パワーMOSFETでは、単発の重イオン入射によって特性が大きく劣化する現象が発見されているが、カクテルイオンを用いた照射試験を行い、パワーMOSFETの閾値電圧の変化を解析した結果、この現象が微細領域におけるトータルドーズ効果の結果として発生することが明らかとなった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	:	57
号	:	6
ページ数	:	p.3257 - 3261
発行年月	:	2010/12
発表会議名	:	2010 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2010)
開催年月	:	2010/07
開催都市	:	Denver
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1109/TNS.2010.2081686
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：72.36 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : BB20102278
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 10618

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