Si(111)-77表面の室温酸化に伴う酸化状態と表面形状の相関

Correlation between Si oxidation states and surface topography in oxidation of Si(111)-77 surface at 300 K

放射光リアルタイムXPSにLEED及びSTMを併用し、Si(111)-77の室温酸化に伴う酸化状態と表面形態の関係を明らかにした。Si $^{4+}$ 酸化状態が観察され始める暴露量付近で、放射光XPSにはレストアトム成分が観測され、LEEDでは77構造を示唆する回折スポット、STMでは酸化物を示唆する白い輝点とともに77に類似の周期構造が観測された。酸化物の島状成長を示唆する結果を得た。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2010年真空・表面科学合同講演会; 第30回表面科学学術講演会/第51回真空に関する連合講演会
開催年月	:	2010/11
開催都市	:	吹田
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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登録番号 : BB20101717
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