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ラプラス変換DLTSによる6H-SiC p$$^+$$nダイオードの欠陥評価

Defects characterization of 6H-SiC p$$^+$$n diode by laplace transform DLTS

小池 俊平*; 岩本 直也; 小野田 忍; 大島 武; 児島 一聡*; 小泉 淳*; 小野 洋*; 内田 和男*; 野崎 眞次*

Koike, Shumpei*; Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Kojima, Kazutoshi*; Koizumi, Atsushi*; Ono, Hiroshi*; Uchida, Kazuo*; Nozaki, Shinji*

SiC(Silicon Cargide)中の欠陥を調べるために、一般的に利用されている容量(Capacitance)-DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)ではなく、容量DLTSスペクトルのピークをもとにエネルギー的に近接して存在する欠陥準位を分離する逆ラプラス変換アルゴリズムを用いたDLTS(L-DLTS)を試みた。6H-SiC p$$^+$$nダイオードに対してC-DLTS測定を行った結果、2つのピーク(X1: 0.46eV、及びX2: 1.10eV)を検出することができた。一方、L-DLTSによりX1及びX2を評価した結果、X1の欠陥の活性化エネルギーは0.46eV, 0.40eV, 0.21eVという3つの近接したエネルギー準位に分かれることがわかった。また、X2の欠陥の活性化エネルギーは1.06eVと1.08eVの2つの近接したエネルギー準位に分離できることがわかった。

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