Heavy-ion induced current in SOI junction diode

SOI基板上の接合ダイオードにおける重イオン照射誘起電流

Takahashi, Yoshihiro*; Takeyasu, Hidenori*; Okazaki, Yuji*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

SOI(Silicon on Insulator)上に作製したpnダイオードにおける重イオン照射誘起電流について検討を行った。逆バイアス印加時の試料に18MeV酸素イオンを照射した結果、理論的に活性層で発生する電荷に比べ多量の電荷が発生することが観測された。解析の結果、これは支持基板内で発生した電荷の収集(変位電流による)によるものと確認された。これより、SOIデバイスの放射線耐性向上のためにはBOXを介した変位電流抑制が重要であることが判明した。シミュレーションにより、支持基板のタイプや不純物密度が収集電荷量に及ぼす影響を評価した結果、支持基板を高不純物濃度化するなどの方法で支持基板表面の空乏層幅を減少させることにより、BOX層を介した電荷収集が抑制可能であることが見いだされた。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-9)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.173 - 175
発行年月	:	2010/10
発表会議名	:	9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-9)
開催年月	:	2010/10
開催都市	:	Takasaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	日本大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : BB20102625
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 10706

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.