Magnetization ramp of the Kagome lattice antiferromagnet

カゴメ格子反強磁性体の磁化ランプ

坂井 徹; 中野 博生*

Sakai, Toru; Nakano, Hiroki*

スピン1/2等方的カゴメ格子反強磁性体の磁化過程について理論的に研究した。数値対角化のデータを再構成して微分磁化を見積もり、この磁化依存性を解析した結果、これまで3分の1磁化プラトーと考えられていた現象が、実は従来の磁化プラトーとは全く異なる新奇な振る舞いを示すことが判明した。そこで、この新現象を磁化ランプと名付けた。三角格子反強磁性体との比較も示す予定である。

Magnetization process of the S=1/2 isotropic Heisenberg antiferromagnet on the Kagome lattice is studied. Data from numerical-diagonalization method up to 39-spin systems, are reexamined from the viewpoint of the derivative of the magnetization with respect to the magnetic field. We find that the behavior of the derivative around the 1/3 height of the magnetization saturation is quite different from the cases of typical magnetization plateaux. The magnetization process of the Kagome-lattice antiferromagnet reveals a new phenomena, which we call the "magnetization ramp". We also compare it with the 1/3 magnetization plateau of the triangular antiferromagnet.