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酸素分子の並進運動エネルギーの増加に伴うGe(001)-2$$times$$1室温酸化の促進

Oxidation of Ge(001)-2$$times$$1 surface at 300 K enhanced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$

吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

Ge(001)-2$$times$$1の室温酸化において、E$$_{n}$$による酸素吸着状態の変化を放射光XPSにより観察した。1.1$$times$$10$$^{18}$$ molecules cm$$^{-2}$$s$$^{-1}$$のdose量における、E$$_{n}$$=0.03eV及びE$$_{n}$$=2.23eVのO 1sとGe 3d XPSのスペクトルを測定した結果、E$$_{n}$$=2.23eVではE$$_{n}$$=0.03eVに比べO 1sスペクトルの強度が増大し、Ge 3dの酸化状態を反映したケミカルシフト成分も増加していることがわかった。Ge(001)-2$$times$$1表面の酸化において、E$$_{n}$$の付与によって吸着酸素量が増加することがわかった。

For the oxidation of Ge(001)-2$$times$$1 surface at 300K, oxidation states in the condition of E$$_{n}$$ = 0.03 eV and E$$_{n}$$=2.23 eV were observed by using synchrotron radiation XPS. At the dose of 1.1$$times$$10$$^{18}$$ molecules cm$$^{-2}$$ s$$^{-1}$$, the intensity of O 1s for E$$_{n}$$ = 2.23 eV is much larger than that for E$$_{n}$$=0.03 eV and the chemical shift components of Ge 3d also increase. We find that the increment of oxygen amount also is caused by the increase of E$$_{n}$$ for the oxidation of Ge(001)-2$$times$$1 surface.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2011/08

開催都市

 :

山形

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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