薄膜のXAS解析 films北條 育子*; 松本 吉弘; 丸山 喬*; 永松 伸一*; 圓谷 志郎; 境 誠司; 小西 健久*; 藤川 高志*
Hojo, Ikuko*; Matsumoto, Yoshihiro; Maruyama, Takashi*; Nagamatsu, Shinichi*; Entani, Shiro; Sakai, Seiji; Konishi, Takehisa*; Fujikawa, Takashi*
本研究では多重散乱理論を用いてフラーレン(C)-コバルト(Co)化合物のX線吸収スペクトルの理論的解析を行った。その結果、同化合物の構造が3個のC分子間にCo原子がp-d結合により配位した局所構造を有すること、化合物中のCo原子の濃度に依存して、同局所構造が発達することが明らかになった。さらに、得られた構造をもとに分子軌道計算を行った結果、同化合物は多数スピン、少数スピンによりバンドギャップが異なる磁性半導体であることが示された。トンネル磁気抵抗効果に関する実験で示唆されたトンネル電子の高スピン偏極率は、このような電子構造を有する化合物がスピンフィルターとして作用して生じる可能性が考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 29 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.20 - 25 |
発行年月 |
: | 2011/05 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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