検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 17 件中 1件目~17件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Photoelectron diffraction from laser-aligned molecules with X-ray free-electron laser pulses

中嶋 享*; 寺本 高啓*; 赤木 浩; 藤川 高志*; 間嶋 拓也*; 峰本 紳一郎*; 小川 奏*; 酒井 広文*; 富樫 格*; 登野 健介*; et al.

Scientific Reports (Internet), 5, p.14065_1 - 14065_11, 2015/09

 被引用回数:29 パーセンタイル:83.61(Multidisciplinary Sciences)

X線自由電子レーザーを利用することで、レーザーによって整列したI$$_{2}$$分子からのX線光電子回折(XPD)パターンを観測した。X線自由電子レーザーの偏光方向に整列したI$$_{2}$$分子のXPDは我々の理論計算とよく一致した。さらに、実験で得られるXPDを分子構造決定に利用する際の適応基準を提案した。

論文

Spin orientation transition across the single-layer graphene/nickel thin film interface

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 小出 明広*; 大伴 真名歩; Avramov, P.; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; 境 誠司

Journal of Materials Chemistry C, 1(35), p.5533 - 5537, 2013/09

 被引用回数:22 パーセンタイル:71.5(Materials Science, Multidisciplinary)

The spin-electronic structures across the interface between single-layer graphene and a Ni(111) thin film are explored by employing the depth-resolved X-ray absorption and magnetic circular dichroism spectroscopy with the atomic layer resolution. The depth-resolved Ni L-edge analysis clarifies that the Ni atomic layers adjacent to the interface show a transition of the spin orientation to the perpendicular one in contrast with the in-plane one in the bulk region. The C K-edge analysis reveals the intensifying of the spin-orbital interactions induced by the $$Pi$$-d hybridization at the interface as well as out-of-plane spin polarization at the $$Pi$$ band region of graphene. The present study indicates the importance of the interface design at the atomic layer level for graphene-based spintronics.

論文

Local structures and magnetic properties of fullerene-Co systems studied by XAFS and XMCD analyses

北条 育子*; 小出 明広*; 松本 吉弘; 丸山 喬*; 永松 伸一*; 圓谷 志郎; 境 誠司; 藤川 高志*

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 185(1-2), p.32 - 38, 2012/03

 被引用回数:1 パーセンタイル:8.37(Spectroscopy)

In this work we have measured Co K- and L$$_{2,3}$$-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) and Co L$$_{2,3}$$-edge X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) spectra, and also carried out their calculations for C$$_{60}$$Co$$_x$$ compounds. The observed XANES and XMCD are sensitive to the Co concentration. In the low density region ($$x$$=1.0-1.5), one Co is surrounded by three C$$_{60}$$ balls. The Co L$$_{2,3}$$-edge XMCD analyses gives the spin magnetic moment on Co in the range 0.5-0.9 $$mu_B$$.

論文

多重散乱理論によるCo-C$$_{60}$$薄膜のXAS解析

北條 育子*; 松本 吉弘; 丸山 喬*; 永松 伸一*; 圓谷 志郎; 境 誠司; 小西 健久*; 藤川 高志*

Photon Factory News, 29(1), p.20 - 25, 2011/05

本研究では多重散乱理論を用いてフラーレン(C$$_{60}$$)-コバルト(Co)化合物のX線吸収スペクトルの理論的解析を行った。その結果、同化合物の構造が3個のC$$_{60}$$分子間にCo原子がp-d結合により配位した局所構造を有すること、化合物中のCo原子の濃度に依存して、同局所構造が発達することが明らかになった。さらに、得られた構造をもとに分子軌道計算を行った結果、同化合物は多数スピン、少数スピンによりバンドギャップが異なる磁性半導体であることが示された。トンネル磁気抵抗効果に関する実験で示唆されたトンネル電子の高スピン偏極率は、このような電子構造を有する化合物がスピンフィルターとして作用して生じる可能性が考えられる。

論文

Surface study of organopalladium molecules on S-terminated GaAs

小西 智也*; 西脇 永敏*; 東條 孝志*; 石川 琢馬*; 寺岡 輝記*; 植田 有紀子*; 木原 義文*; 森時 秀司*; 遠野 竜翁*; 武藏 美緒*; et al.

Physica Status Solidi (C), 8(2), p.405 - 407, 2011/02

 被引用回数:3 パーセンタイル:77.76

Organopalladium species (Pd) immobilized on an Sterminated GaAs substrate (S/GaAs) effectively catalyzes C-C bond formation in the Mizoroki-Heck reaction with cycle durability. However, the immobilizing mechanism of Pd is unknown. In this study, we deposited Pd(OCOCH$$_3$$)$$_2$$ on S/GaAs in two different methods, namely dry-physical vapor-deposition and wetchemical deposition, and compared the catalytic activities in the Mizoroki-Heck reaction. Also, S-termination and Pd-immobilization on GaAs grains were performed by the wet-chemical method to monitor the change in the surface chemical structure during the preparation process with diffuse reflectance Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). FT-IR measurements implied that the immobilization of catalytic active ${Pd}$ was related to the OH groups on the S-terminated surface. Pd-S/GaAs prepared dryphysically showed poor catalytic activity, because Pd was not immobilized under absence of OH groups.

論文

大深度立坑掘削に伴い発生するズリのモニタリング手法経過報告

小島 亘; 山上 光憲; 藤川 大輔; 尾留川 剛*; 北川 義人*; 土井 崇志*; 齋藤 綾佑*

土木学会平成20年度全国大会第63回年次学術講演会講演論文集, p.453 - 454, 2008/09

日本原子力研究開発機構が、北海道幌延町において建設を進めている深地層の研究施設では、深度500m程度の立坑等を掘削する。掘削に伴い発生する掘削土(ズリ)は、既往の調査結果から自然由来の重金属類の含有が確認されている。したがって、発生した掘削土(ズリ)は溶出量試験による定期的な性状確認を行った後、適切に処理しなければならない。判定に際し、公定分析では結果を得るまでに2週間程度を要することから、対応に遅れが生じる可能性がある。そこで、本工事における掘削土(ズリ)の管理方法として、建設現場において短時間で分析が可能な手法を構築し、平成18年8月の立坑掘削開始より現地分析による管理を行っている。本大会では、その管理手法並びにこれまでの経過報告について発表する。

論文

Study of stellar reactions in explosive hydrogen burning with CRIB

久保野 茂*; 寺西 高*; 野谷 将広*; 山口 英斉*; 齋藤 明登*; He, J. J.*; 若林 泰生*; 藤川 尚志*; Amadio, G.*; 馬場 秀忠*; et al.

Nuclear Physics A, 758, p.733 - 736, 2005/07

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.01(Physics, Nuclear)

CRIBからの短寿命核ビーム$$^{17}F$$を用いて陽子非弾性散乱を測定した。これにより爆発的水素燃焼過程を理解するうえで重要な$$^{14}O(alpha,p)^{17}F$$における共鳴状態の核物理パラメタを求めた。$$^{23}Mg$$ビームによる非弾性散乱実験の結果も合わせて報告する。

口頭

巨大TMR効果に影響を及ぼすC$$_{60}$$-Co化合物の電子/スピン状態,2

松本 吉弘; 境 誠司; 圓谷 志郎; 永松 伸一*; 北条 育子*; 藤川 高志*; 島田 敏宏*; 楢本 洋*; 前田 佳均; 横山 利彦*

no journal, , 

2006年以降、われわれはC$$_{60}$$-Co化合物のマトリックス中にCo結晶粒が分散するC$$_{60}$$-Coグラニュラー薄膜で、巨大トンネル磁気抵抗(TMR)効果($$Delta$$R/R$$_{min}$$=$$sim$$1000%)が生じることを明らかにしてきた。最近の分光研究から、C$$_{60}$$-Co化合物中に存在する局在dスピンにより、C$$_{60}$$-Co化合物/Co結晶粒界面に高偏極スピン状態が誘起されることがTMR効果発現の原因と推測されている。したがって、C$$_{60}$$-Co薄膜で生じるスピン依存伝導機構を理解するには、C$$_{60}$$-Co化合物の電子/スピン状態を明らかにすることが極めて重要である。本研究では、組成比の異なるC$$_{60}$$-Co化合物(C$$_{60}$$Co$$_{x}$$, x$$<$$5)について放射光による分光解析を行った。結果として、C$$_{60}$$-Co化合物中のCo原子は2価の低スピン状態(Co(II)LS, d$$^{7}$$)で、かつ同スピン間にxの値に応じて反強磁性的なスピン間相互作用が存在していること、一方でC$$_{60}$$-Co化合物中の局在dスピンとCo結晶粒との界面で強磁性的なスピン相互作用が生じていることが明らかとなった。

口頭

シンクロトロン放射光による分子スピントロニクス材料の元素選択的磁気状態分光

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 楢本 洋*; 境 誠司; 島田 敏宏*; 横山 利彦*; 藤川 高志*

no journal, , 

本研究では、Co組成比の異なるC$$_{60}$$Co$$_{x}$$(x$$<$$5)試料についてX線吸収分光、及び、磁気円二色性分光を行った。併せて、TMR効果の発現機構解明には、Co結晶粒界面近傍でのC$$_{60}$$-Co化合物中の局在dスピン状態に関する知見が不可欠であることから、Ni(111)基板上に成膜したC$$_{60}$$-Co化合物層(膜厚: 3nm)についても同様の分光解析を行った。結果として、Ni基板上のC$$_{60}$$-Co化合物層では、Niを磁化させた状態でのゼロ磁場MCD測定において、厚いC$$_{60}$$-Co化合物層(膜厚: 30nm)とは異なる強いMCD信号が観測された。これはC$$_{60}$$-Co化合物/Niの層間に強磁性的なスピンカップリングが存在することを示しており、同様の相互作用がC$$_{60}$$-Co化合物/Co結晶粒界面においても生じていると推測される。

口頭

High interface spin polarization and its mechanism in fullerene-magnetic metal systems

境 誠司; 三谷 誠司*; 松本 吉弘; 大伴 真名歩; 圓谷 志郎; Avramov, P.; 楢本 洋*; 藤川 高志*

no journal, , 

Voltage-dependence of the TMR effect was investigated for the granular C$$_{60}$$-Co films. It was successfully demonstrated that the large TMR is attributed to the very high spin polarization of tunnelling electrons at the C$$_{60}$$-Co compound/Co interface. In order to study the mechanism of the spin polarization, the electronic and magnetic states of the C$$_{60}$$-Co compound at the interface with magnetic metals (Ni) were investigated by the X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) spectroscopy. It was revealed that the region of the C$$_{60}$$-Co compound within 3 nm from the interface is ferromagnetically coupled with Ni due to the indirect exchange interaction mediated by C$$_{60}$$. This ferromagnetic coupling is able to give rise to the high spin polarization in connection with the spin-filtering effect of the C$$_{60}$$-Co compound.

口頭

X-ray absorption and magnetic circular dichroism signals from hexagonal boron nitride/Ni(111) interface

大伴 真名歩; 松本 吉弘; 山村 野百合*; 圓谷 志郎; Avramov, P.; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; 境 誠司

no journal, , 

グラフェンはスピントロニクス材料として有望であるが、グラフェンへのスピン注入には酸化アルミニウム・酸化マグネシウムなどのトンネルバリアの挿入が不可欠である。本研究では酸化アルミニウム・酸化マグネシウムよりも成膜時のダメージが少ないバリア層材料として六方晶窒化ホウ素(h-BN)を提案し、その電子・スピン状態をX線吸収分光・X線吸収磁気円二色性測定により解析した。ホウ素のK吸収端と窒素のK吸収端において解析した結果、それぞれにおいてXMCDシグナルが観測された。多重散乱理論を用いたシミュレーション結果と照らし合わせた結果、窒素原子のみにスピン軌道相互作用を持たせても十分な大きさのXMCDシグナルが得られないことがわかった。これは周辺のNi原子の交換ポテンシャルによる散乱などの効果を考慮に入れなければならないことを示している。

口頭

High spin polarization of tunnelling electrons at the interfaces in fullerene-magnetic metal systems

境 誠司; 松本 吉弘; 大伴 真名歩; 圓谷 志郎; Avramov, P.; 楢本 洋*; 藤川 高志*

no journal, , 

In the present study, voltage-dependence of the TMR effect was investigated for the granular C$$_{60}$$-Co films with the current-perpendicular-to-plane geometry. It is revealed that the MR ratio conforms to the exponential MR-V relationship down to zero bias voltage. By considering the possible MR enhancement by higher-order cotunnelling, it is successfully demonstrated that the large TMR is attributed to the very high spin polarization (P = 0.8) of tunnelling electrons generated at the C$$_{60}$$-Co compound/Co interface. The ferromagnetic exchange coupling at the interface and the interlaryer electronic interaction are able to give rise to the high spin polarization in connection with the theoretically predicted spin-filtering effect of the C$$_{60}$$-Co compound.

口頭

六方晶窒化ホウ素-磁性金属界面のスピン偏極状態

大伴 真名歩; 山内 泰*; 山村 野百合*; Avramov, P.; 松本 吉弘; 圓谷 志郎; 小出 明広*; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; et al.

no journal, , 

グラフェンはスピントロニクス材料として有望であるが、グラフェンへのスピン注入には酸化アルミニウム・酸化マグネシウムなどのトンネルバリアの挿入が不可欠である。本研究では酸化アルミニウム・酸化マグネシウムよりも成膜時のダメージが少ないバリア層材料として六方晶窒化ホウ素(h-BN)を提案し、その電子・スピン状態をX線吸収分光・X線吸収磁気円二色性測定により解析した。ホウ素のK吸収端と窒素のK吸収端において解析した結果、それぞれにおいてXMCDシグナルが観測された。多重散乱理論を用いたシミュレーション結果と照らし合わせた結果、窒素原子のみにスピン軌道相互作用を持たせても十分な大きさのXMCDシグナルが得られないことがわかった。これは周辺のNi原子の交換ポテンシャルによる散乱などの効果を考慮に入れなければならないことを示している。

口頭

Spin orientation transition across the graphene/nickel thin film interface

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 小出 明広*; 大伴 真名歩; Avramov, P.; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; 境 誠司

no journal, , 

The spin-polarized electronic structures across the interface between single-layer graphene and a Ni(111) thin film are explored by employing the depth-resolved X-ray absorption and magnetic circular dichroism spectroscopy with the atomic layer resolution. The depth-resolved Ni L-edge analysis clarifies that the Ni atomic layers adjacent to the interface show a transition of the spin orientation to the perpendicular one in contrast with the in-plane one in the bulk region. The C K-edge analysis reveals the intensifying of the spin-orbital interactions induced by the $$pi$$-d hybridization at the interface as well as out-of-plane spin polarization at the $$pi$$ band region of graphene. The present study indicates the importance of the interface design at the atomic layer level for graphene-based spintronics.

口頭

原子層スケールでみたグラフェン/ニッケル界面の電子スピン状態

境 誠司; 松本 吉弘*; 圓谷 志郎; 楢本 洋*; 小出 明広*; 藤川 高志*; 山内 泰*; 雨宮 健太*

no journal, , 

グラフェンは、長距離スピン輸送の実現や分子性材料をスピントロニクスに用いるためのベース材料として注目されている。本研究では、グラフェン基デバイスの基本構造であるグラフェン/磁性金属界面の電子スピン状態を、原子層スケールの深さ分解能を有する深さ分解X線磁気円二色性分光とスピン偏極He原子線による最表面スピン検出法を用いて調べた。その結果、単層グラフェン(SLG)/Ni(111)界面から数原子層の領域で、Ni薄膜の容易磁化方向が面内から面直方向に変化することが明らかになった。一方、SLGは、界面のNi原子層との相互作用により伝導を担う$$pi$$バンドの電子状態が変化しNiと逆向きのスピン偏極を生じることやスピン軌道相互作用の増大が生じることが分かった。

口頭

Spin orientation and electronic states at graphene/nickel interface

松本 吉弘*; 圓谷 志郎; 小出 明広*; 大伴 真名歩*; Avramov, P.*; 楢本 洋*; 雨宮 健太*; 藤川 高志*; 境 誠司

no journal, , 

グラフェン基スピントロニクスデバイスの特性を司るグラフェン/磁性金属界面の電子・スピン状態について、深さ分解X線磁気円二色性分光による調査を行った。その結果、グラフェン/ニッケル界面においてニッケル中の電子スピン(磁化)の安定な配置が面直方向に変化する特異な物性(界面誘起垂直磁気異方性)が生じることが明らかになった。さらに、界面における相互作用によりグラフェンの電子状態が変化し磁性を帯びることも分かった。

口頭

カソードルミネッセンスを用いた炭酸塩鉱物の成長構造の把握

村上 裕晃; 國分 陽子; 横山 立憲; 渡邊 隆広; 湯口 貴史*; 藤川 将之*; 西山 忠男*

no journal, , 

炭酸塩鉱物中に発達する層状構造を把握するため、カソードルミネッセンス(CL)を用いた効率的な観察手順を検討した。その結果、ルミノスコープで取得した光学CL像では、顕微鏡観察や元素分布情報からは確認できない帯状の構造が認められた。さらに、走査型電子顕微鏡(SEM)で取得したSEM-CL像では、幅が不規則に変化する、輝度の異なるマイクロメートルオーダーの構造が繰り返していることを確認した。本検討の結果、炭酸塩鉱物を対象とした微小領域の観察時は、まず光学CL像で全体の傾向を把握し、次にSEM-CL像でマイクロメートルオーダーの情報を取得する手順が有効であると考えられる。

17 件中 1件目~17件目を表示
  • 1