原子層スケールでみたグラフェン/ニッケル界面の電子スピン状態

Electronic spin states of graphene/nickel interface investigated at atomic-layer scale

境 誠司; 松本 吉弘*; 圓谷 志郎; 楢本 洋*; 小出 明広*; 藤川 高志*; 山内 泰*; 雨宮 健太*

Sakai, Seiji; Matsumoto, Yoshihiro*; Entani, Shiro; Naramoto, Hiroshi*; Koide, Akihiro*; Fujikawa, Takashi*; Yamauchi, Yasushi*; Amemiya, Kenta*

グラフェンは、長距離スピン輸送の実現や分子性材料をスピントロニクスに用いるためのベース材料として注目されている。本研究では、グラフェン基デバイスの基本構造であるグラフェン/磁性金属界面の電子スピン状態を、原子層スケールの深さ分解能を有する深さ分解X線磁気円二色性分光とスピン偏極He原子線による最表面スピン検出法を用いて調べた。その結果、単層グラフェン(SLG)/Ni(111)界面から数原子層の領域で、Ni薄膜の容易磁化方向が面内から面直方向に変化することが明らかになった。一方、SLGは、界面のNi原子層との相互作用により伝導を担うバンドの電子状態が変化しNiと逆向きのスピン偏極を生じることやスピン軌道相互作用の増大が生じることが分かった。

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