TEM-WDSの高エネルギー領域への拡張

Extension of TEM-WDS to the high energy region

寺内 正己*; 高橋 秀之*; 飯田 信雄*; 村野 孝訓*; 小池 雅人; 河内 哲哉; 今園 孝志; 長谷川 登; 小枝 勝*; 長野 哲也*; 笹井 浩行*; 大上 裕紀*; 米澤 善央*; 倉本 智史*

Terauchi, Masami*; Takahashi, Hideyuki*; Handa, Nobuo*; Murano, Takanori*; Koike, Masato; Kawachi, Tetsuya; Imazono, Takashi; Hasegawa, Noboru; Koeda, Masaru*; Nagano, Tetsuya*; Sasai, Hiroyuki*; Oue, Yuki*; Yonezawa, Zeno*; Kuramoto, Satoshi*

これまで開発してきた回折格子を用いたTEM-WDS装置(回折格子2つで60-1200eVをカバー)をより広く材料への応用に供するため、測定領域を50-3800eVへ拡張するとともにEPMAへの搭載及び解析ソフト開発も含めた「ナノスケール軟X線発光分光システムの開発」(科学技術振興機構-産学共同シーズイノベーション化事業:平成20年度-平成23年度)を行っている。低エネルギー領域に関しては、新回折格子を搭載したEPMAによるLi-K(54eV)の測定などを昨年報告した。今回はメモリーデバイス等に使われるTeやSeの分析を目的とした高エネルギー領域への拡張を目指し、新たな多層膜構造による広帯域回折格子(1.5-4keV)の試作と、それをTEMに搭載して得た実験結果を報告する。分解能・感度テストとして、透明電極材料であるITO(酸化インジウム(InO)に数%の酸化スズ(SnO)を添加した化合物)の測定をしたところ、In-L1(3487eV)ピークとSn-L(3444eV)ピークを明瞭に分離して測定できることが確認できた。

We have developed a TEM-WDS instrument based on diffraction-gratings (covering 60-1200 eV by 2 gratings). Current our subjects are the extension of the energy range to 50-3800 eV which allows us to apply to the analysis of more wide range of materials, the application to EPMA, and the development of analysis software. Regarding to the extension to the high energy region for the purpose of the analysis of Te and Se which are used in memory devices, etc. we report this time the fabrication of a wide-band grating (1.5-4 keV) having a new multilayer structure and the measurement results obtained by a TEM with the grating. As a test of resolution and sensitivity In-L1(3487 eV) and Sn-L(3444 eV) peaks are clearly resolved at the measurement of ITO (a few % tin oxide added indium oxide compound) which is used as transparent electrodes.