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低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCに存在する深い準位の観測

Observation of deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation

吉原 一輝*; 加藤 正史*; 市村 正也*; 畑山 智亮*; 大島 武

Yoshihara, Kazuki*; Kato, Masashi*; Ichimura, Masaya*; Hatayama, Tomoaki*; Oshima, Takeshi

耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(4H-SiC)に電子線照射を行い、電流深部準位測定(電流DLTS)によって生成欠陥を調べた。実験には、アルミドープのp型4H-SiCエピタキシャル基板を用いた。エピタキシャル基板に、160keVのエネルギーの電子線を1$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$又は1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$照射した。今回用いた160keVは、SiC中の炭素原子のみを弾き飛ばすことができるエネルギーである。それらのサンプルに対して電流深部準位測定(電流DLTS)を行った。その結果、1$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$照射試料において、130K, 150K, 165Kにピークが観測された。1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$試料においては、145K, 175K, 205Kにピークが観測された。それぞれの照射量の試料で、異なる温度にピークが観察されたことから、これらのピークは異なる欠陥によって発生したことが示唆される。また、照射量が増加しても各ピークの増加は観測されなかった。このことから、照射量が増すことで単純に炭素空孔が増加するのではなく、異なる構造の複合欠陥が形成されたと考えられる。

no abstracts in English

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