• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

第一原理分子動力学法で生成したアモルファス$$rm SiO_{2}$$/4H-SiC(11-20)原子構造モデル

An Amorphous $$rm SiO_{2}$$/4H-SiC(11-20) interface atomic model generated by first-principals molecular dynamics method

宮下 敦巳; 大沼 敏治*; 土田 秀一*; 吉川 正人

Miyashita, Atsumi; Onuma, Toshiharu*; Tsuchida, Hidekazu*; Yoshikawa, Masahito

SiC半導体デバイスは、従来のデバイスでは動作が困難な極限環境でも使えるデバイスとして期待されている。SiC MOS-FETにおいては、ゲート酸化膜とSiC結晶との界面に多くの欠陥が存在しておりデバイス性能を劣化させている。実験的にそれらを解析することは困難であるため、原子構造モデルを計算機上に生成することで欠陥準位の同定を目指している。近年、4H-SiC(11-20)面で非常に良いチャネル移動度が得られることが報告されたことから、計算機上で当該面上にアモルファス$$rm SiO_{2}({it a}-SiO_{2})$$を生成し、その界面構造を評価した。まず、シリコン240個,炭素120個,酸素228個,水素48個を含む636原子による原子構造モデルに対して、4000K$$cdot$$2ps及び3500K$$cdot$$2psの加熱を行い$$rm SiO_{2}$$層を溶融した後、-1000K/psの速度で室温までの急冷を行い、$$arm-SiO_{2}$$/4H-SiC(11-20)界面原子構造を生成した。$$rm SiO_{2}$$中にはSiダングリングボンド、3配位のO等の欠陥が存在した。界面はほとんどがSi-O結合で接続していたが、他にもSi-Si結合,C-O結合,Si及びCダングリングボンドが観察された。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会

開催年月

 :

2011/12

開催都市

 :

名古屋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

電力中央研究所

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る