A Rule on atomic arrangement of graphite-like boron carbonitride

グラファイト的ホウ素炭化窒素の原子配置に関する法則

Shimoyama, Iwao; Baba, Yuji; Sekiguchi, Tetsuhiro

共役系炭素材料のC原子をBやN原子で置換的にドーピングすることによって得られる共役系ホウ素窒化炭素化合物(B $_{x}$ C $_{y}$ N $_{z}$ )は触媒活性などの機能性が報告され注目を集めている。グラファイト構造を持つこの材料は同じ組成であってもハニカム構造中のB, C, N間の配置に依存して電子状態が金属半導体と大きく変化すると理論的に予測されており、原子配置は極めて重要なパラメータであるが、三元系の取り得る原子配置には無数の組合せがあり、B $_{x}$ C $_{y}$ N $_{z}$ 材料の原子配置に関しては不明な点が多い。われわれはこの材料のキャラクタリゼーションにX線吸収端近傍微細構造(NEXAFS)分光法を用い、B及びN吸収端でのスペクトル形状を密度汎関数理論計算で解析することによって原子配置に関する以下の法則「BとNは互いに3回回転対称の線上に配置されB-N間の分極を最大にするように配置され、Cは正負どちらの有効電荷も取り得るためにB, N間の間を埋めるように配置される」を提案する。

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使用言語	:	English
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発表会議名	:	6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6)
開催年月	:	2011/12
開催都市	:	Tokyo
開催国	:	Japan
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