ZnO及びGaN表面でのMeV炭素イオン散乱

MeV carbon ion scattering on ZnO and GaN surfaces

本橋 健次*; 齋藤 勇一; 宮脇 信正

Motohashi, Kenji*; Saito, Yuichi; Miyawaki, Nobumasa

重元素終端された有極性半導体結晶による表面散乱を利用した、電磁石や静電場を必要としない簡便なイオンビームガイディングの実現を目指し、その基盤研究を行っている。今回は、有極性半導体結晶表面におけるイオンビームの鏡面反射率を通常の金属表面と比較し、その特性を調べた。1MeV及び2MeVの炭素イオンビームを標的(GaN(単結晶Ga面),GaN(単結晶N面),ZnO(単結晶Zn面),ZnO(単結晶O面),Au(多結晶))表面に対し2で入射し、散乱角3と4における散乱イオンの強度測定及びエネルギー分析を、半導体検出器を用いて行った。その結果、Au面と比較して有極性半導体結晶面は鏡面反射率が高いことがわかった。さらに、GaNではGa面がN面より高い、また、ZnOではZn面がO面より高い反射率を示した。これらから、有極性半導体結晶の重元素終端面がイオンビームの反射(ガイディング)に有効であることが示唆された。

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