ナローギャップ半導体-USの強相関効果によるエネルギーギャップ形成機構

Energy gap formation through strong electron correlation in narrow gap semiconductor -US

Suzuki, Michito; Metoki, Naoto; Sakai, Hironori; Haga, Yoshinori

ウランダイカルコゲナイド-USは、斜方晶系の結晶構造を持ち、90K程度の非常に小さなエネルギーギャップを持つ非磁性半導体であることが報告されている。90K以上でも電気抵抗が10 $^{-1}$ cmと通常の金属に比べて大きいことから、小さなキャリア数による伝導状態にあると考えられるが、エネルギーギャップの形成も含めて伝導特性の機構は明らかになっていない。本講演では、第一原理計算により得られた結果から、特異なエネルギーバンド構造の形成に伴うエネルギーギャップ形成により、上記の伝導特性が説明されることを報告する。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
巻	:
号	:
ページ数	:
発行年月	:
発表会議名	:	日本物理学会2012年秋季大会(物性)
開催年月	:	2012/09
開催都市	:	横浜
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : BB20121686
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.