Consideration of single-event gate rupture mechanism in power MOSFET

パワーMOSFETにおけるシングルイベントゲートラプチャー発生メカニズムの考察

Kuboyama, Satoshi*; Mizuta, Eiichi*; Ikeda, Naomi*; Abe, Hiroshi; Oshima, Takeshi; Tamura, Takashi*

パワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)では、シングルイベントゲートラプチャー現象と呼ばれるデバイス中のゲート酸化膜が破壊を起こす現象が発生する。この現象によって引き起こされる故障モードは、宇宙放射線環境で使用される装置に重大なダメージを及ぼすためその発生メカニズム解明と対策が強く要求されている。今回、異なる構造を持つMOSFETを作製し、315MeV-Krイオン照射を行った。その結果ゲート酸化膜端にイオンがヒットした場合、発生するホットキャリアが基板内の電界を変化させソースとドレインが短絡して電流が増幅する新たな発生モードを観測した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-10) (Internet)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.138 - 141
発行年月	:	2012/12
発表会議名	:	10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-10)
開催年月	:	2012/12
開催都市	:	Tsukuba
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
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登録番号 : BB20122859
抄録集掲載番号 : 41000941
論文投稿番号 : 12898

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