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Z$$_{1/2}$$センターとSiC高エネルギー粒子検出器の電荷収集効率の関係

Relation between Z$$_{1/2}$$ center and the charge collection efficiency of SiC high-energy particle detectors

岩本 直也; Johnson, B. C.; 星乃 紀博*; 伊藤 雅彦*; 土田 秀一*; 児島 一聡*; 大島 武

Iwamoto, Naoya; Johnson, B. C.; Hoshino, Norihiro*; Ito, Masahiko*; Tsuchida, Hidekazu*; Kojima, Kazutoshi*; Oshima, Takeshi

六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)のキャリアライフタイムキラー欠陥として知られるZ$$_{1/2}$$センターと、4H-SiC高エネルギー粒子検出器の電荷収集効率の関係を明らかにすることを目的に研究を行った。高エネルギー粒子検出器として4H-SiCダイオードを使用した。このダイオードに1MeVの電子線を1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$照射することでZ$$_{1/2}$$を含む放射線誘起欠陥を形成した。電子線照射したダイオードに対して、100$$^{circ}$$Cから300$$^{circ}$$Cで熱処理を行い電荷収集効率と欠陥の変化を調べた。初期値が100$$%$$であった電荷収集効率は、電子線照射後に78$$%$$に低下した。このとき、EH$$_1$$, Z$$_{1/2}$$, EH$$_3$$の3種類の欠陥が形成されていることが確認された。300$$^{circ}$$Cまでの熱処理によって電荷収集効率は93$$%$$まで回復し、EH$$_1$$及びEH$$_3$$の欠陥は消滅した。一方、Z$$_{1/2}$$は、電子線照射後から300$$^{circ}$$Cまでの熱処理の間でほとんど変化しない。以上のことから、電子線照射によって低下した電荷収集効率のうち、300$$^{circ}$$Cでの熱処理後も回復していない成分(およそ1/3)がZ$$_{1/2}$$による影響であると考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2013年(平成25年)第60回応用物理学会春季学術講演会

開催年月

 :

2013/03

開催都市

 :

厚木

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

電子加速器

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

産業技術総合研究所; 電力中央研究所

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