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Calculation of molecular-structure-based damage caused by short-pulse high-intensity X-ray lasers

短パルス高強度X線レーザーによる分子構造を基にした損傷の計算

甲斐 健師   ; 徳久 淳師*; 河野 秀俊

Kai, Takeshi; Tokuhisa, Atsushi*; Kono, Hidetoshi

本研究では短パルス高強度X線レーザー照射による立体構造を考慮した単分子の損傷を時々刻々計算するために、分子動力学法に基づいた生体分子損傷のシミュレーションコードの開発を行った。本シミュレーションコードでは原子過程として光吸収電離過程,コンプトン散乱,オージェ過程のみならず、これまで分子動力学法をもとにした生体分子の損傷シミュレーションにおいて考慮されていなかった電場電離過程の効果を考慮した。本研究では標的としてリゾチームを選び、X線エネルギー12.4keV及びパルス幅5fsの条件で、パルス通過中の生体分子内の原子の平均束縛電子数及びイオンダイナミクスの計算を実行した。その結果、入射X線強度が1$$times$$10$$^{20}$$photons/mm$$^{2}$$以上になると、電場電離の効果によりリゾチーム分子の電離が急激に進行しはじめ、クーロン爆発は光電子が多数生成される1$$times$$10$$^{21}$$photons/mm$$^{2}$$程度の入射X線強度で誘発されることがわかった。

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パーセンタイル:11.42

分野:Physics, Multidisciplinary

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