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62.5-250keV/u H$$_{2}$$$$^{+}$$とC$$_{2}$$$$^{+}$$イオン衝撃により炭素薄膜から放出される二次電子収量の膜厚依存性

Thickness dependence of secondary-electron yield from carbon foils bombarded with 62.5-250-keV/u H$$_{2}$$$$^{+}$$ and C$$_{2}$$$$^{+}$$ ions

鳴海 一雅; 高橋 康之*; 千葉 敦也; 山田 圭介; 的場 史朗; 齋藤 勇一; 石川 法人   ; 須貝 宏行*; 前田 佳均

Narumi, Kazumasa; Takahashi, Yasuyuki*; Chiba, Atsuya; Yamada, Keisuke; Matoba, Shiro; Saito, Yuichi; Ishikawa, Norito; Sugai, Hiroyuki*; Maeda, Yoshihito

高速クラスターイオン衝撃による固体からの二次電子放出に対する近接効果の起源解明に向けて、ビーム軸に対して45$$^{circ}$$傾けた異なる厚さの非晶質炭素薄膜(厚さ1-100$$mu$$g/cm$$^{2}$$)に同じ速度領域(62.5-250keV/u)で原子番号の異なるイオン(H$$_{2}$$$$^{+}$$, C$$_{2}$$$$^{+}$$)を照射し、解離したイオンが膜中をクーロン反発によって膜厚に依存して核間距離を増加させつつ透過する際に薄膜の前方に放出される二次電子収量$$gamma$$$$_{F}$$を測定した。近接効果の目安となる二次電子収量比R$$_{F}$$=$$gamma$$$$_{F}$$(2)/2$$gamma$$$$_{F}$$(1)は、H$$_{2}$$$$^{+}$$では1$$<$$R$$_{F}$$、C$$_{2}$$$$^{+}$$ではR$$_{F}$$$$<$$1になった。ここで、$$gamma$$$$_{F}$$(1)と$$gamma$$$$_{F}$$(2)はそれぞれ同じ速度の単原子イオン,2原子分子イオン衝撃による二次電子収量である。この傾向は、同じ速度領域のエネルギー損失に対する近接効果と同様であり、二次電子放出に対する近接効果の起源には固体中の電子を励起する過程の寄与があることを示しているが、これに加えて励起された電子が表面まで輸送される過程の寄与もあることが明らかになった。さらに、これら2つの寄与は、前者が核間距離が約1nmより小さい場合に、後者は核間距離が約1nmより大きい場合に、それぞれ支配的であることが明らかになった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会第68回年次大会

開催年月

 :

2013/03

開催都市

 :

東広島

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
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