Charged particle radiation effects on flexible a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple junction solar cells for space use

宇宙用フレキシブルa-Si/a-SiGe/a-SiGe三接合太陽電池の荷電粒子線照射効果

佐藤 真一郎; Kevin, B.*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Kevin, B.*; Oshima, Takeshi

宇宙用フレキシブル薄膜太陽電池の有力候補であるa-Si/a-SiGe/a-SiGe三接合太陽電池に電子線,陽子線,シリコンイオンを照射し、発電特性の劣化を系統的に調べた。これらの劣化データをはじき出し損傷線量(DDD)やイオン化線量(Ionizing Dose)の観点からまとめ、アモルファス太陽電池の放射線劣化メカニズムに関する考察を行ったところ、はじき出し損傷効果とともに電子励起効果が損傷に強く影響していることが明らかとなった。また、照射直後の特性回復を詳細に調べ、室温アニールは照射条件にかかわらず常に生じることを明らかにした。

Performance degradation of a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple-junction solar cells due to irradiation of electrons, protons, and silicon ions are investigated using an current-voltage measurement system. The room temperature annealing effects immediately after irradiation are also investigated. By analyzing the energy loss process of incident particles (ionizing energy loss and non-ionizing energy loss), the radiation degradation mechanism is discussed.