Estimation of subcell photocurrent in IMM3J using LED bias light

LEDバイアス光を用いたIMM三接合太陽電池中のサブセル光電流の見積もり

中村 徹哉*; 今泉 充*; 佐藤 真一郎; 大島 武

Nakamura, Tetsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

外部量子効率からではなく、電流電圧特性から多接合太陽電池におけるサブセルの光電流を見積もる手法を考案した。逆方向飽和電流密度とシャント抵抗をエレクトロルミネセンス法とLEDバイアス光照射法を用いて求めることによって、各サブセルの光電流を見積もることが可能となる。3MeV陽子線照射後の逆積み格子不整合型(IMM)三接合太陽電池の最大出力を見積もったところ、実験値と良い一致を示したことから、本手法の有効性が示された。

The estimation method of subcell photocurrent (I) in multi-junction solar cells using not external quantum efficiency (EQE) but light current-voltage (LIV) characteristics after irradiation is proposed. To obtain I of each subcell, it is necessary to estimate the reverse saturation current density (J) and shunt resistance (R) of each subcell using EL and LED bias light (LBL) method. Since estimated I is in agreement with experimental LIV characteristics under illumination of AM0 solar simulator, we can evaluate of complicated maximum power (Pmax) of the inverted metamorphic triple-junction (IMM3J) solar cell after irradiation.