高強度UVレーザー場中Kr及びXeのイオン化におけるスピン軌道2準位への分岐

Branching into two spin-orbit levels in ionization of Kr and Xe in intense UV laser fields

中野 元善; 乙部 智仁; 板倉 隆二

Nakano, Motoyoshi; Otobe, Tomohito; Itakura, Ryuji

高強度UVフェムト秒レーザー(398nm, 80fs)を用いて、Xe及びKrを標的とした角度分解光電子分光を行った。最外殻電子が電離した1価イオン電子基底状態の2つのスピン軌道準位J=3/2と1/2の生成比及び光電子角度分布に着目し、レーザー強度依存性を明らかにした。Xeの場合、レーザー強度を9から26TW/cmへ増やすと、2準位の5光子イオン化生成比[J=3/2]/[J=1/2]は、0.65から1.25へ増加した。Krの場合、5光子イオン化生成比はほぼ一定であるものの、光電子角度分布は、レーザー強度によって変化することが観測された。第一原理計算を行い、実験結果と比較して議論する。

We have studied branching into two spin-orbit levels (J = 3/2 and 1/2) of Kr and Xe in induced by intense ultra-violet laser pulse (398 nm, 80 fs) with photoelectron momentum imaging. In the case of Xe, when the laser intensity increased from 9 to 26 TW/cm, the branching ratio [J=3/2]/[J=1/2] in the five-photon ionization increases from 0.65 to 1.25. In the case of Kr, the ratio is almost constant in this intensity range, but the angular distributions change significantly. We performed ab initio calculation and compared it with the experimental results.