アモルファスGeカルコゲナイド薄膜への銀の光拡散の中性子反射率測定による研究,2

Investigations on silver photodiffussion into amorphous Ge-chalcogenide films by means of neutron reflectometry, 2

坂口 佳史*; 朝岡 秀人  ; 魚住 雄輝; 川北 至信  ; 伊藤 崇芳*; 久保田 正人 ; 山崎 大  ; Ailavajhala, M.*; Rizwanlatif, M.*; Mitkova, M.*

Sakaguchi, Yoshifumi*; Asaoka, Hidehito; Uozumi, Yuki; Kawakita, Yukinobu; Ito, Takayoshi*; Kubota, Masato; Yamazaki, Dai; Ailavajhala, M.*; Rizwanlatif, M.*; Mitkova, M.*

アモルファスGeカルコゲナイド/銀薄膜に光を照射すると、銀がアモルファスGeカルコゲナイド層に拡散する。我々は、この銀の光拡散の膜厚方向へのダイナミクスを明らかにするため、光照射下の時分割中性子反射率測定を行っている。カルコゲナイド層Ge40S60の厚みを変えた場合、光照射を行う方向をAg側からGe40S60側に変えた場合、さらにはGe濃度を変えた場合の拡散状態の変化について報告する。

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