出来 真斗*; 岡 知輝*; 高吉 翔大*; 直井 美貴*; 牧野 高紘; 大島 武; 富田 卓朗*
Deki, Manato*; Oka, Tomoki*; Takayoshi, Shodai*; Naoi, Yoshiki*; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi; Tomita, Takuro*
炭化ケイ素(SiC)基板へフェムト秒レーザー照射を行うと、SiCの比抵抗が5桁程度低下することが知られている。本研究ではフェムト秒レーザーを照射したSiCの電気伝導機構に関する知見を得るため、フェムト秒レーザー照射部における抵抗値の温度依存性を測定し、照射部の活性化エネルギーを求めた。試料は半絶縁性SiCであり、基板上に1mmの間隔を設けて蒸着した2つのアルミニウム電極の間へフェムト秒レーザーを照射した。照射条件は、照射エネルギー密度21J/cm
、レーザー走査速度100
m/secとした。フェムト秒レーザー照射後、測定温度122
473Kにおいて電極間の抵抗値の温度依存性を測定した。その結果、伝導体の下端からそれぞれ8.3および86meVにおいてエネルギー準位が存在することがわかった。以上のことより、照射エネルギー密度21J/cm
の室温における抵抗値の低下は、8.3meVの活性化エネルギーを持つ順位に起因していると考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 778-780 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.661 - 664 |
発行年月 |
: | 2014/02 |
発表会議名 |
: | International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013) |
開催年月 |
: | 2013/09 |
開催都市 |
: | Miyazaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：72.7 分野：Crystallography |
Altmetrics |
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