GaAs太陽電池中の量子ドット層が耐放射線性に及ぼす効果

Effects on radiation tolerance of quantum dot layers in GaAs solar cells

Nakamura, Tetsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Sugaya, Takeyoshi*

量子ドット層の導入によって宇宙用太陽電池の更なる高効率化を目指す研究が近年行われているが、その耐放射線性については明らかにされていない。今回、量子ドット層を導入したGaAs太陽電池に150keV陽子線照射を行い、その結果をリファレンス試料であるp-i-n型GaAs太陽電池の結果と比較することで、量子ドット層の耐放射線性を調べた。光電流・電圧特性および暗電流・電圧特性から光電流の電圧依存性を反映するパラメータを抽出し、その陽子線照射による変化を比較した。その結果、GaAs太陽電池は510 $^{11}$ cm $^{-2}$ から減少するのに対し、量子ドット太陽電池は210 $^{10}$ cm $^{-2}$ から減少することがわかった。パラメータの減少は主に少数キャリアの再結合寿命が低下し、ドリフト電流の割合が増えていることを意味しており、この結果からは、量子ドット太陽電池のほうが放射線耐性が低いと判断される。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第8回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2013/10
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

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