電子線照射を用いた炭化ケイ素中の単一フォトン源の形成

Creation of single photon source in silicon carbide using electron irradiation

大島 武; Johnson, B. C.*; Castelletto, S.*; Ivady, V.*; Stavrias, N.*; 梅田 享英*; Gali, A.*

Oshima, Takeshi; Johnson, B. C.*; Castelletto, S.*; Ivady, V.*; Stavrias, N.*; Umeda, Takahide*; Gali, A.*

固体中の単一発光中心の有するスピンや発光を制御することで、従来の半導体デバイスの演算能力を遥かに凌ぐ量子コンピューティングや、高輝度かつナノレベルのサイズ制御でフォトニクスを実現しようという試みが行われている。そこで本研究では、SiCを母材とした量子コンピューティングやフォトニクスに応用可能な単一発光中心の探索を行った。その結果、半絶縁性(SI)六方晶(4H)SiC基板に2MeVのエネルギーの電子線照射及び300Cでの熱処理を行うことで、室温においても非常に高い輝度で発光する新たな欠陥が生成されることを見出した。低温におけるフォトルミネッセンス(PL)測定により、この欠陥はABラインとして報告されている640680nm付近にピーク(ゼロフォノンライン)を有する発光中心であることが判明した。更に、共焦点蛍光顕微鏡(CFM)を用いたアンチバンチング測定及び理論計算を行うことで、この欠陥は単一発光中心であり、正に帯電した炭素アンチサイト-炭素空孔ペア(CV)であると帰結された。

no abstracts in English