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SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導度の温度依存性

Temperature dependence of electric conductivities in femtosecond laser modified areas on SiC

岡 知輝*; 出来 真斗; 直井 美貴*; 牧野 高紘; 大島 武; 富田 卓朗*

Oka, Tomoki*; Deki, Manato; Naoi, Yoshiki*; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi; Tomita, Takuro*

これまで、SiCに閾値フルエンスを超えたフェムト秒レーザー光(800nm)を照射すると、改質部の電気特性が室温において急激に減少することを明らかにしている。本研究ではSiCのフェムト秒レーザー照射部の抵抗値の温度依存性から、改質部の電気伝導メカニズム解明を試みた。SiC表面にフェムト秒レーザーをピークフルエンス3.18J/cm$$^{2}$$および7.97J/cm$$^{2}$$で照射後、80Kから470Kの温度範囲において抵抗値を測定した。その結果、低フルエンス(3.18J/cm$$^{2}$$)改質部抵抗値の温度依存性は1つの活性化エネルギー成分で表すことができ、活性化エネルギーE$$_{D1}$$=53.9meVが得られた。一方、高フルエンス改質(7.97J/cm$$^2$$)では2成分で表現でき、E$$_{D1}$$=51.4meV、E$$_{D2}$$=4.5meVが得られた。E$$_{D2}$$は低フルエンス改質($$sim$$6.7J/cm$$^{2}$$)では観測されないものであり、室温(300K)の熱エネルギー(26meV)よりも低い。したがって、この準位から活性化されたキャリアが抵抗値の減少に寄与しているものと考えられる。

no abstracts in English

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